Colorado Boulde უნივერსიტეტის მეცნიერებმა კალიფორნიის და მასაჩუსესტის ტექნოლოგიების უნივერსიტეტების დახმარებით მიაღწიეს გასაოცარ შედეგს ოპიტიკურელეკტრონიკაში.მათ მიერ იყო შექმნილი მიკრო-ჩიპის მოდელი რომელშიც შედის დღესდღეობით არსებული ყველა ელეკტრო და ოპტიკური ტექნოლოგია რომელიც ერთ კრისტალზე არის დატანილი. პროცესორის გულად მათ გამოიყინეს RISC-V-ს ორი ბირთვი , რის გვერდითაც მათ მოათავსეს 1 მეგაბაიტიანი მეხსიერების SRAM-ი. მაგრამ განსხვავებით ჩვეულებრივი კონსტრუქციისგან პროცესორის ბირთვები მეხსიერებას არა ელექტრონული გზით უკავშირდება არამედ ოპტიკური ინტერფეისით. ასეთ მიღწევაზე საუბრებდნენ წინა საუკუნის მეცნიერებები და მხოლოდ 21-ე საუკუნეში მოხდა ამ ოცნების რეალობად ქცევა.1
ამ კრისტალის ზომა არის 6 x 2 მილიმეტრი,რომელზეც დამატებულია სხვა ოპტიკური მცირე ტექნოლოგიები. მისი მცირე ზომის მიუხედავათ ის შექმნილია 45 ნანორობოტის საშუალებით CMOS SOI. მეცნიერები ამტკიცეენ რომ ამ მიკროჩიპის დახმარებით მათ შეუძლიათ მონაცემების გადაგაზვანა 300 გეგაბიათ მილიმეტრწამი სიჩქარით რაც 40-50 ჯერ აღემატება დღევანდელ ჩიპების რომლებიც 3 x 6 ზომისაა. საინტერესოა რას იყენებენ მეცნიერები იმისთვის რომ სიჩქარე ასე საგრძნობლად გაიზარდოს მაგრამ ეს ჯერ-ჯერობით უცნობია , მხოლოდ ის ვიცით რომ წინა საუკუნის მეცნიერები ამ ტექნოლოგიურ მოვლენას წინასწარმეტყველებდნენ.2
ჯერ-ჯერობით საცდელ ეგზემპლარს ძნელია ჩქარი ვუწოდოთ. მაგრამ მეცნიერები მუშაობენ მის გაუმჯობესებაზე და მისი სიჩქარე სურთ 32 მეგაჰერცამდე აწიონ ანუ თითოეულ ოპტიკურ არხს გააჩნია 2.5 მეგაჰერცის მხარდაჭერა – ეს საკმადო კარგი და თანამედროვე მეცნიერებაში შესანიშნავი შედეგია. ამ ჩიპის დამზადებით მეცნიერები დგამენ მნიშვნელოვან ნაბიჯს მათ შეძლეს ჰიბრიდული ჩიპის შექმნა რეალურ დროში. ჯერ-ჯერობით მასში 850 ოპტიკური ნაწილაკია მაგრამ მწარმოებებლები ამაზე არ ჩერდებიან.

წყარო : tachreport.com
ავტორი : მიხეილ სიდამონიძე

No comments yet.

HAVE SOMETHING TO SAY?